Ga2O3器件加工（Dlmu-FS-20240977）单一来源公示

采购内容：方案一工艺: 清洗:标准RCA清洗   PECVD:采用PECVD技术积300nm的SiO2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蚀：SiO2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理A.清洗：B.过刻蚀后处理：C.预处理：最后在400℃下进行5min的O2处理 ALD:利用ALD生长5nm的TiN作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制备完成后，在N2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案二工艺: 清洗:标准RCA清洗 PECVD:采用PECVD技术积300nm的SiO2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蚀：SiO2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理A.清洗：B.过刻蚀后处理：C.预处理：最后在400℃下进行5min的O2处理。 ALD:利用ALD生长5nm的TiN作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制备完成后，在N2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案三工艺: 清洗:标准RCA清洗 PECVD:采用PECVD技术积300nm的SiO2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蚀：SiO2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理A.清洗：B.过刻蚀后处理：C.预处理：最后在400℃下进行5min的O2处理。 ALD:利用ALD生长5nm的TiO2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制备完成后，在N2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案四工艺: 清洗:标准RCA清洗 PECVD:采用PECVD技术积300nm的SiO2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蚀：SiO2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理A.清洗：B.过刻蚀后处理：C.预处理：最后在400℃下进行5min的O2处理 ALD:利用ALD生长5nm的TiO2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制备完成后，在N2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 第一次测试内容： 选择测试的电极尺寸：425μm，5个电极最中间的那个   IV    BV （1）结构:Cu/Cr/Au （2）结构:Cr/Cu/Cr/Au （3）结构:Al2O3/Cu/Cr/Au  第二次后续重新退火+电学测试： A.退火： 选择之前三个结构中100℃退火的样品片重新进行氮气气氛下450℃快速热退火。 B.电学测试： （1）对Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au两种结构中未退火的样品片，选择425μm尺寸的电极进行IV，BV测试。   （2）对Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au两个结构中重新进行450℃快速热退火的两个样品，选择425μm尺寸的电极进行IV，BV测试。